有延展性表面能形成致密的惰性氧化膜还具有密度小，比强度大，耐高温和低温耐腐蚀和亲生物性等性能室温时不与稀盐酸硫酸硝酸发生反应加热时能与氧氮硫和卤素等非金属发生反应能与大多数金属及某些非金属。

1Ge处于金属元素和非金属元素分界线附近，分界线附近的元素很多是两性元素和半导体Ge最外层四个电子，不多不少居中间核外有3个电子层，不多不少居中间，正因这些，其处于金属非金属的分界线附近2处于元素左上和右下。

但总的看来，p区金属元素的金属性较弱，部分金属如AlGaIn GeSn和Pb的单质氧化物及其水合物均表现出两性，它们在化合物中还往往表现出明显的共价性相对而言， TlPb和Bi的金属性较强十种元素中，Po为。

GeOH4与AlOH3一样都是两性氢氧化物，有酸式电离和碱式电离 由于Ge是四A族的，所以它可以和碳酸，硅酸一样写成酸式的形式H4GeO4 Al是金属，Ge是半导体，大概它的非金属性比Al的更强些，所以更倾向于酸式电离吧。

常见的半导体材料有硅si锗ge，化合物半导体如砷化镓gaas等，掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼b磷p锢in和锑sb等其中硅是最常用的一种半导体材料半导体材料semiconductor。

锗具有半导体性质，在高纯锗中掺入三价元素如铟镓硼得到P型锗半导体掺入五价元素如锑砷磷，得到N型锗半导体常温下，锗在空气中不被氧化，但在加热时，锗能在氧气氯气和溴蒸气中燃烧锗不与。

根据查询相关公开信息显示，ge和si是间接带隙半导体直接带隙半导体Directgapsemiconductor的例子GaAsInP半导体电子在k状态时的动量是h2pik，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量与之相对。

禁带宽度112， 066， 142， 344 6H SiC3， 4H SiC325， 3CSiC23 eV电子迁移率 1350， 3800， 8000， 2000，3000左右 cm^2V·s。

所以，制造半导体器件一般都会用含有何当杂志的半导体材料，而且每一种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度，超过这一温度后，器件就会失效3 杂质在元素半导体 Si和Ge中的作用是半导体Si\Ge的导电性能发生显著的。

在1968年前后，由于原子能工业核子技术电子技术及半导体技术发展的影响，中子活化分析在地质和勘探上的应用有了较明显的变化，引起这些变化的重重要新技术有高分辨能力的GeLi半导体探测器开始用于地质工作，其分辨率较NaJT1高数十倍。

这是元素周期律里的元素代表符号，H氢，At砹，Tc锝，Os锇，As砷，Ge锗，Nb铌，Pu钚，Kr氪，Li锂，Zn锌，Y钇，U铀，Tl铊，Ag银，Ga镓。

生成的化合物都有半导体性质镓的氧化和氢氧化物都是两性的，可溶于酸和碱中镓可用作高温温度计和真空装置中的密封液镓的最重要的应用是在制造半导体器件方面镓还用来制造阴极蒸汽灯等锗，原子序数32，原子量72。

同为一个族，但原子的电子层是在增加的所以其原子的最外层电子的失去的能力越来越强了所以原子的金属性越来越强了。

气体电离室产生一个电子离子对需要能量30eV闪烁体探测器NaITl产生一个光电子需要能量300eV半导体固体电离室GeLi产生一个电子空穴对需要能量3eV对于具有能量为E的γ射线，在上述三种探测器中，产生的载流子。

Ge品牌的edi模块价格贵不贵美国Ge公司的edi模块价格在edi模块中比较中等，不算贵，但也不便宜但性价比很高价格在一万多在三万多很多大型的电子工厂和制药厂及半导体行业都是使用Ge公司的edi模块来制取纯水，使用效果。